被温烫两种结构的不同取决于所使用的二氧化硅模板的粒径大小。

结果表明，暖水B掺杂g-C3N4/SnS2的CO2还原活性优于g-C3N4/SnS2。图5g-C3N4、袋低g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的吸收光谱图图6g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的功函数图（a）g-C3N4的功函数图。

被温烫图3g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的能带图（a）g-C3N4的能带结构图。不同半导体表面聚集的光激发电子和空穴，暖水有效地延长了光生载流子的寿命，提高了光催化能力。袋低（b）B掺杂的g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。

被温烫（c）SnS2纳米片的示意图。暖水（b）B掺杂g-C3N4的示意图。

袋低（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。

被温烫（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的能带结构图。暖水（E）循环伏安法中的FYFeK-edgeXANES谱。

电催化剂的缺陷，袋低如掺杂、袋低空位、晶界等，有可能使反应物在催化剂表面具有特殊的吸附行为和化学活性，有望选择性地提高特定中间体和相应ECR途径的稳定性。被温烫（E）相对电压时CO产量下的比电流密度（jCO）。

暖水（G）F掺杂碳（FC）的DFT模型的俯视图和侧视图。袋低（C）NCNT和CNT催化剂电催化CO2还原过程中CO的FE与施加的电池电势的相关性。